【MC9S12G128 memory】

发布时间:2023-09-08 18:30

MC9S12G128 EEPROM 和 内置Flash

  • 简介
  • 方框图
  • Memory Map:
  • 寄存器描述
    • Flash 加密寄存器(FSEC)
    • Flash CCOB 索引寄存器
    • Flash Configuration Register
    • Flash Error Configuration Register
    • Flash Status Register
    • Flash Error Status Register
    • P-Flash Protection Register
    • EEPRO Protection Register
    • Flash Common Command Object Register
    • Flash ReservedX Register
    • Flash Option Register
  • Flash 命令操作
    • Flash 命令操写入顺序流程图
    • Valid Flash Module Commands
    • P-Flash Commands
    • EEPROM Commands

简介

MC9S12G128 Memory:

  • 128Kbytes P-Flash(Program Flash) memory
  • 4Kbytes EEPROM memory
  • 8Kbyte RAM

方框图

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Memory Map:

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寄存器描述

注:通过HIWAVE工具可以方便查看调试,包括(寄存器,EEPROM,P-Flash)等内容。
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\"【MC9S12G128

Flash 加密寄存器(FSEC)

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Flash加密字节配置:全局地址0x3_FF0F
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Flash CCOB 索引寄存器

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Flash Configuration Register

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Flash Error Configuration Register

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Flash Status Register

\"【MC9S12G128

Flash Error Status Register

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P-Flash Protection Register

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\"【MC9S12G128

EEPRO Protection Register

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Flash Common Command Object Register

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Flash ReservedX Register

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\"【MC9S12G128

Flash Option Register

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Flash 命令操作

Flash命令操作用于修改Flash存储内容。
下面是部分描述:

  • 如何设置FCLKDIV寄存器,使得目标FCLK频率在1MHz,FCLK是通过BUSCLK分频后得到。
  • 命令写顺序:设置命令参数然后启动执行命令。
  • 有效的Flash命令才能执行。

Flash 命令操写入顺序流程图

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Valid Flash Module Commands

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P-Flash Commands

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EEPROM Commands

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